Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi

2.9.2. Əsas məntiq elementləri və onların strukturları. Qeyd olunduğu 
kimi rəqəm mikrosxemləri bipolyar və ya sahə tranzistorlarından təşkil olunurlar 
və müəyyən sxemotexniki prinsiplərə görə qurulurlar. Mikrosxemlərin işlənib 
hazırlanması zamanı bir sıra prinsipial fərqlənən, realizə edilməsi üçün müəyyən 
texnoloji əməliyyatlar toplusu (yığımı) tətbiq olunan sxemotexniki həllər istifadə 
olunur. Hansı texnologiya üzrə hazırlanmağından mikrosxemin xassələri, və 
deməli həm də parametrləri asılıdır. Rəqəm mikrosxemlərini aşağıdakı 
texnologiyalar üzrə hazırlayırlar: 
- tranzistor-tranzistor məntiqi – bipolyar tranzistorların və məntiq 
elementinin girişində çoxemitterli tranzistorun tətbiq olunduğu TTM-
texnologiya. Bu, daha çox sınanmış, və geniş istifadə olunan texnologiya orta 
cəldliyə malik olan yüksək etibarlı mikrosxemlər almağa imkan verir. 
- Şottki keçidli tranzistor-tranzistor məntiqi – TTMŞ texnologiya, TTM – 
texnologiyanın təkmilləşmiş variantıdır, hansında ki, ya Şottki diodları, və ya 
tranzistorları tətbiq olunurlar. Şottki effekti o vaxt alınır ki, p-n-keçidin daxili 
strukturuna, tranzistorun bazasındakı qeyri-əsas yükdaşıyıcıların sorulmasını 
onun dəyişməsi zamanı sürətləndirməyə və mikrosxemin cəldliyini artırmağa 
imkan verən nazik metal təbəqə daxil edirlər. 
- Emitter əlaqəli məntiq – EƏM - texnologiyası əsas xüsusiyyəti ondan 
ibarətdir ki, bipolyar tranzistorların rejimləri elə seçilib ki, onlar açıq vəziyyətə 
keçdikdə bazanın qeyri-əsas yükdaşıyıcıları ilə doyması baş vermir və nəticədə 
tranzistor bağlandıqda az miqdarda olan qeyri-əsas yüklər tez sorulurlar. Bu 
hesaba EƏM-texnologiya əsasında ən yüksəksürətli mikrosxemlər alınır, lakin 
bu İMS-lərin enerji tələbatı digərlərində olduğundan xeyli çoxdur. 
- MOY(Metal – oksid – yarımkeçirici) –texnologiyada mikrosxem sahə 
tranzistorlarından formalaşır. MOY – mikrosxemlər iki növ olurlar: n-MOY və 
p-MOY tipli. n və p simvolları sahə tranzistorlarının elektrik keçiriciliyi 
kanallarının uyğun olaraq elektron və deşik tipli olduğunu göstərir. MOY 
mikrosxemlər çox kiçik enerji tələbatına malikdirlər, lakin sahə tranzistorların 
xassəsi ilə əlaqədar olaraq yuxarıda baxılmış mikrosxemlərlə müqayisədə sürəti 
aşağıdır. 

---

60
- komplimentar MOY-texnologiyada – KMOY-texnologiyasında 
mikrosxemlərin hər bir məntiq elemnti biri-birini tamamlayan (komplimentar) 
sahə tranzistorlarından, yəni əks tipli (n-MOY və p-MOY) keçiriciliyə malik 
olan tranzistorlardan təşkil olunmuşdur. Bu tranzistorların rəzələri (zatvorları) 
biri-birilə elektrik birləşmişdir və məntiq elementinin girişini yaradırlar. Belə 
olan halda hansı məntiq siqnalın - “0” və ya “1”-in elementin girişində 
olmasından asılı olmayaraq, uyğun tranzistorlardan biri açıq, digəri isə bağlı 
vəziyyətdə olacaq. Tranzistorlar cütündən biri həmişə bağlı olduğundan, bu 
tranzistorların dövrəsindən cərəyan axmayacaq. Deməli, KMOY 
mikrosxemlərində cərəyan tələbatı, yalnız tranzistorlar bir vəziyyətdən o birinə 
keçdiyi zaman, yəni onların halı bağlıdan açığa, və əksinə dəyişdikdə baş verir.