Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi
MDY- tranzistorlar əsasında baza məntiq elementləri
Download 5.01 Kb. Pdf ko'rish
|
2014-2730 (2)
2.8. MDY- tranzistorlar əsasında baza məntiq elementləri
Planar texnologiyadan istifadə etməklə ilk izolə edilmiş zatvora malik MDY –tranzistor 1962-ci ildə yaradılmışdır. Bu tip tranzistorların geniş yayılmasına onun aşağıdakı xüsusiyyətləri səbəb olmuşdur: - hazırlanma texnologiyasının sadəliyi; 56 - həndəsi ölçülərinin kiçikliyi və daha sadə sxemotexniki həll; - vahid sahəyə malik kristalda bipolyar İS-ə nəzərən daha mürəkkəb sxemlərin yaradılması mümkünlüyü; - yüksək omlu yükdən istifadə olunması ilə əlaqədar açarda səpələnən gücün azalması. MDY- tranzistorlarda baza məntiq elementləri yaradılarkən aşağıdakı xüsusiyyətləri nəzərə almaq lazım gəlir: - MDY –tranzistor bipolyar tranzistora nəzərən daha zəif açar xüsusiyyətlərinə malikdir (bu böyük çıxış müqavimətinə və bununla bərabər qoşulmuş vəziyyətdə böyük qalıq gərginliyinə malik olması ilə əlaqədar); - MDY –tranzistorun çıxış xarakteristikasının dU S /dU Sİ törəməsi, U si gərginliyinin kiçik qiymətlərində, U Zİ gərginliyindən hiss olunacaq asılılığa malikdir. Bunun nəticəsində MDY – tranzistorun qoşulmuş vəziyyətindəki qalıq gərginliyi idarəedici gərginlikdən güclü asılı olur (“0” səviyyəsi “1” səviyyəsindən güclü asılı olur); - fiksə olunmuş tutum halında yüksəkomlu yükün tətbiqi çıxış gərginliyinin ön və arxa cəbhələrinin davametmə müddətini təyin edən zaman sabitini artırır; - maneədavamlılığı artırmaq üçün səviyyələr arasındakı potensial fərqini artırmaq lazım gəlir ki, bu da elementin cəldliyini aşağı salır. Göstərilən çatışmazlıqları aradan qaldırmaq üçün yük rezistoru əvəzinə yük MDY - tranzistorundan istifadə edilir. Bu əlavə olaraq İS hazırlanma texnologiyasını bir qədər də sadələşdirir. MDY-tranzistorlu İS-də passiv elementlər olmur. İstifadə olunan tranzistorun növündən asılı olaraq İS nMDY və pMDY tipli olurlar. nMDY-tranzistorlu yükə malik açar sxemi şəkil 2.12,a- da göstərilmişdir. Sxem 2Və-Yox əməliyyatını yerinə yetirir. Sxemdəki VT1 tranzistoru aktiv müqavimət rolunu oynayır. VT2 və VT3 tranzistorları isə bilavasitə məntiq əməliyyatını yerinə yetirən açar rolunu oynayırlar. Bu sxemlərin xüsusiyyəti VT2 tranzistorunun real müqavimətinin VT1 tranzistorunun iş rejimindən asılılığındadır. MDY İS-in cəldliyini artırmaq üçün yük tutumunun dolma cərəyanını artırmaq lazım gəlir. Lakin cərəyanın artması sərf olunan gücün və çıxış məntiq səviyyələrinin qeyri-stabilliyinin artmasına səbəb olur. Bu ziddiyyətliliyi ya texnoloji yolla - kiçik giriş tutumlu tranzistorların yaradılması ilə, ya da sxemotexniki yolla – açar sxemini müxtəlif növ kanal keçiriciliyinə malik tranzistorlarda (komplementar tranzistorlar) yaratmaqla aradan qaldırmaq olar. Komplementar tranzistorlarda (KMDY) yaradılan açarlar statik rejimdə qida mənbəyindən güc işlətmir. Statik rejimdə elementin sərf etdiyi güc onun yükə 57 verdiyi güclə eyni olur. Sxemotexniki cəhətdən KMDY İS n-MDY (p-MOY) – növ İS-in sxemini təkrarlayır. Fərq həmişə iki tranzistordan istifadə olunmasındadır. Verilmiş məntiq funksiyasını yerinə yetirmək üçün n-MDY tranzistorları ardıcıl, onun digər cütü olan p-MDY tranzistorlar paralel qoşulurlar və əksinə. Nümunə kimi, 2Və-Yox məntiq funksiyasını yerinə yetirən məntiq elementinin prinsipial elektrik sxemi şəkil 2.12,b-də göstərilmişdir. Şəkil 2.12. MDY (a) və KMDY (b) tranzistorlarda 2Və-Yox məntiq elementi Download 5.01 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling