Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

6.9. Integral mikrosxemalar rezistorlari
Yarimo‘tkazgichli integral sxemalarning barcha elementlari
(tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar) kremniy,
arsenid, galliy asosning r-n o‘tishlari bazasida epitaksiya va
diffuziya usuli bilan yaratiladi. Yarimo‘tkazgichli sxemalar
rezistorlari baza sohasida olinadi va ularning qarshiligi soha
qarshiligi bilan belgilanadi va 25 Om dan bir necha kiloom-
largacha bo‘lgan oraliqda bo‘ladi. Rezistorlarning texnologik
aniqligi 30% dan oshmaydi, QTK=10
-3
· 1/°C.
Qalin pardali mikrosxema rezistorlarini iðak-grafiya usuli —
keramik asos (22XC keramikasi) sirtiga maxsus trafaret orqali
surtish va ularni kuydirish (qizigan keramika usuli) yo‘li bilan
olinadi.
Maxsus ishlarga mo‘ljallangan yupqa pardali mikrosxemalar
mikroelektron texnikada keng qo‘llanilmoqda. Ular asosida yirik
gibrid integral sxemalar yaratilmoqda. Buning sababi shundaki,
yupqa pardali texnologiya elementlarining nominal qiymati
chegaralarini kengaytirishga va yanada yuqori aniqlikka, barqa-
rorlikka va ishonchlilikka erishishga imkon beradi.
Yupqa pardali sxemalar rezistorlari metallar yoki boshqa tok
o‘tkazuvchi moddalar, odatda, oksid asoslarga purkash yo‘li
bilan olinadi. Rezistorlarning konfiguratsiyasi maskalarning
rezitsiv qatlami topologiyasi (joylashtirilishi va o‘lchamlari bilan)

---

132
orqali belgilanadi. Tok o‘tkazuvchi moddalar maskadagi «darcha»
orqali purkaladi. Bunda vakuumda termik bug‘lantirishdan yoki
katod changlatishdan foydalaniladi. Changlatish jarayoni max-
sus vakuum qurilmalarida o‘tkaziladi.
Maskalar metalldan qilingan va fotorezitsiv bo‘lishi mumkin.
Fotorezitsiv maskalar ajratish qobiliyati mikrometrlarni tashkil
etadigan fotolitografiya usuli bilan olinadi. Biroq texnologik va
aniqlik nuqtayi nazaridan maskadagi «darcha»ning minimal yo‘l
qo‘yilgan eni 50—100 mkm ga teng qilib olinadi. Rezistorlarga
purkash uchun MLT-ZM qotishmasi, tantal, kermetlar va silitsid-
lardan foydalaniladi.
6.1-jadval