Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti olmaliq filiali "kimyoviy texnologiya"

BUG’LATISH
Qattiq, uchuvchan boʻlmagan yoki uchuvchanligi yomon boʻlgan moddalar eritmalarni qaynatish davrida erituchisini va xosil boʻlgan bug’larni chiqarib yuborish jarayoniga bug’latish deyiladi.
Odatda, sanoat miqyosida bug’latish jarayoni eritmalarni qaynatish yoʻli bilan amalga oshiriladi.
Eritmalarni bug’latishdan maqsad ularning konsentratsiyasini orttirish boʻlib, ya’ni eritmalarni quyuqlashtirishdir. Agarda, quyuqlashtirilgan eritmalardan yana ertituvchi chiqarilsa, qattiq moddalar kristallana boshlaydi va kristallar ajralib chiqadi.
Suyultirilgan eritmalar konsentratsiyasini oshirish yoki ularda erigan moddalarni kristallash usulida ajratib olish uchun bug’latish jarayoni qoʻllaniladi.
Kimyo, ozoq-ovqat va boshqa sanoatlarda bug’latish jarayonidan keng koʻlamda foydalaniladi. Masalan, tuz, ishqor kabi moddalarning suvli eritmalarni, mineral va organic kislotalar, koʻp atomli spirtlar, shakar va konserva maxsulotlarini ishlab chiqarish texnologiyasida tomat, sut va sharbatlarni konsentrlashda bu jarayonsiz texnologiyani tasavvur qilib boʻlmaydi. Shu bilan birga, ushbu jarayonni toza erituvchi ishlab chiqarish uchun ham qoʻllasa boʻladi.
Shuni alohida qayd etish kerakki, agar bug’latish jarayoni qaynash temperaturasidan past, istalgan temperaturada eritma yuzasida sodir boʻlsa, bug’latish esa – qaynash temperaturasidan yuqori temperaturada, eritmaning butun hajmida yuz beradi.
Ushbu jarayonlar bug’latish qurilmasi deb nomlanadigan qurilmalarda amalga oshiriladi. Ma’lumki, uzluksiz va uzlukli bug’latish jarayonlarni tashkil etish mumkin. Uzlukli ishlaydigan qurilmalar, odatda kam miqdorda maxsulot ishlab chiqaradigan texnologiyalarda qoʻllaniladi.
Yirik sanoat korxonalarida uzluksiz ishlaydigan bug’latish qurilmalardan foydalaniladi va ularning issiqlik almashinish yuzalari 600…1000 m² boʻladi. Bunday qurilmalarning tejamligini aniqlovchi asosiy omil boʻlib, undagi bug’ va suv sarfi hisoblanadi.
Bug’latish vakuum, atmesfera va yuqori bosim ostida olib borilishi mumkin.