O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. T normuradov, B. E umirzaqov, A. Q tashatov

Rastr elektron mikroskopning fizikaviy asosi. Rastr elektron mikroskopning 
ishlash prinsipi, fokuslangan elektron to‘plam – zond bilan jism sirtni 
nurlantirganda hosil bo‘ladigan jarayonlarga asoslanadi. 6.15 – rasmda 
ko‘rsatilgandek elektronlarning namuna (modda) bilan ta’sirlashish natijasida turli 
xil signallar vujudga keladi. Ulardan asosiylarni quyidagi elektronlar oqimi tashkil 
qiladi: qaytgan, ikkilamchi, Oje – elektronlar, yutilgan va namunadan o‘tgan 
elektronlar, shuningdek quyidagi nurlanishlar: katodlyuminessentiya va rentgen. 

---

163 
Namuna sirtning tasvirini olish uchun ikkilamchi, qaytgan va yutilgan 
elektronlar ishlatiladi. Qolgan nurlanishlar REM da qo‘shimcha ma’lumot manbayi 
sifatida ishlatiladi. 
Har qanday mikroskopning asosiy xarakteristikasi ularning ajrata olish 
qobiliyati hisoblanadi. U quyidagilar bilan aniqlanadi: 1 – zond diametri yoki 
kesim yuzasi, 2 – namuna va detektor tizimi hosil qiladigan kontrastlik, 3 – 
namuna signalni hosil bo‘lish sohasi. 
Zond diametri asosan konstruktiv xususiyat va mikroskop bo‘g‘inlarning 
sifatida, avvalambor elektron optikaga bog‘liq bo‘ladi. Zamanaviy REMlarda zond 
diametri 5 – 10 nm gacha kichiklashtirilgan. 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.15 – rasm. Elektron nurni jism bilan o‘zaro ta’sirlashish effekti. 
 1 – elektron nur, 2 – jism, 3 – akslangan elektronlar, 4 – ikkilamchi elektronlar, 5 
– Oje – elektronlar, 6 – yutilgan elektronlar toki, 7 – o‘tib ketgan elektronlar, 8 – 
katodlyuminessent nurlanish, 9 – rentgen nurlanish. 
Kontrastlikni ajrata olish qobiliyatiga ta’siri quyidagida namayon bo‘ladi. 
REMda kontrastlikni hosil qilish, namunaning qo‘shni sohalaridan qayt 
qilinayotgan signallarning farqi bilan aniqlanadi. Bu signallarning farqi qanchalik 
katta bo‘lsa, kontrastlik shunchalik katta bo‘ladi. Kontrast bir necha faktorlarga, 
ya’ni sirt topografiyasiga, jismning kimyoviy tarkibiga, sirtdagi mahalliy magnit va 
elektr maydonlariga, struktura elementlarining kristallografik yo‘nalishiga bog‘liq 
bo‘ladi. Ulardan eng asosiysi namuna sirtining notekisligiga bog‘liq bo‘lgan 
2 
6 
7 
8 
9 
1 
3 
4 
5 

---

164 
topografik, hamda kimyoviy tarkibiga bog‘liq bo‘lgan kompozitsion hisoblanadi. 
Kontrast darajasi, shuningdek chiqishida signal hosil qiluvchi detektorga tushgan 
nurlanishni aylantirish samaradorligiga bog‘liq bo‘ladi. Olinayotgan kontrastlik 
yetarli bo‘lmasa, u holda uni zond tokini ko‘paytirish bilan oshirish mumkin. Biroq 
katta elektronlar oqimi, elektron optika hususiyatidan kelib chiqqan holda yaxshi 
fokuslanmaydi, ya’ni zond diametri oshadi va bunga mos ravishda ajrata olish 
qobiliyat kamayadi.
Ajrata olishni cheklovchi keyingi faktor namunada signallarni hosil bo‘lish 
sohasining o‘lchamiga bog‘liq bo‘ladi. 6.16 – rasmda elektron to‘plam namunaga 
ta’sir qilganda turli nurlanishlarning hosil bo‘lish sxemasi keltirilgan. Birlamchi 
elektronlar namunaga kirganda barcha yo‘nalish bo‘yicha sochiladi. Shuning 
uchun namuna ichida elektron to‘plamni kengayishi yuz beradi. Birlamchi 
elektronlarning YE = 0 energiyagacha sekinlashgan sohasida, nok simon shaklga 
ega bo‘ladi. Namunada elektron to‘plamini yon tomonlarga kengayishi, zond 
diametri 10 nm bo‘lganda ham, 1 dan 2 mkm gacha borishi mumkin. 
Elektronlarning yoyilishi, elektronlarning namuna sirtiga chiqish yuzasi 
elektronlar to‘plamining fokusidan katta bo‘lishiga olib keladi. Bunga bog‘liq 
ravishda elektronlarning namuna ichida sochilish jarayoni akslangan, ikkilamchi va 
yutilgan elektronlardan olinayotgan tasvirning ajrata olish qobilyatiga katta ta’sir 
qiladi.