Stoletov tajribalari. Fotoeffekt

8.Fotomagnitoelektr effekt (Kikoin-Noskov effekti): Bu effekt 1934 yilda rus 
fiziklari I.K.Kikoin va M.M.Noskovlar tomnidan ochilgan. Bu effekt 16.3-rasm 
yordamida tushuntiriladi. Yorug’likni yetarlicha kuchli 
yutadigan, yorug’lik bilan yoritilgan, yarimo’tkazgich, 
yo’nalishi yorug’lik oqimiga perpendikulyar yo’nalgan 
magnit maydoniga joylashtiriladi. Agar magnit maydoni 
bo’lmaganida edi, optik generatsiyalangan elektronlar va 
teshiklar yarimo’tkazgich ichiga difuziyalanar va biz 
Dember effektini kuzatgan bo’lar edik. Magnit maydoni 
elektronlarni va teshiklarni turli tomonlarga og’diradi, bu 
bilan ularni yorug’lik va maydon yo’nalishiga perpendikulyar yo’nalishda fazoviy 
ajratadi. Natijada bir necha o’nlab vol’tgacha yetadigan EYK paydo bo’ladi. Ushbu effekt 
asosida ishlovchi qabul qilgichlar infraqizil nurlanishni qayd qilish uchun ishlatiladi. 
9.Fotoelementlar, 
fotoqarshiliklar: 
Ichki 
fotoeffektga 
asoslangan 
va 
fotoo’tkazuvchanlik hodisasidan foydalanadigan birinchi fotoelement 1875 yilda 
yasalgan edi. Garchi ichki fotoeffekt hodisasi tashqi fotoeffekt hodisasidan 50 yil ilgari 
kashf etilgan bo’lsa-da, tashqi fotoeffekt asosida ishlaydigan fotoelementlar ichki 
fotoeffekt asosida ishlaydigan fotoelementlarga qaraganda oldinroq rivojlandi. XX 
asrning qirqinchi yillarida yarimo’tkazgichlar fizikasi tez rivojlangani va ichki fotoeffekt 
hodisasi chuqur o’rganilgani sababli yarimo’tkazgichli yangi fotoelementlar yaratila 
boshlandi. 
Ichki fotoeffektga asoslangan fotoelementlarni yarim o’tkazgichli fotoelementlar 
yoki fotoqarshiliklar deb ataladi. Yarimo’tkazgichli fotoelementlarning fotosezgirligi 
vakuumli fotoelementlarning sezgirligidan yuzlarcha marta oshiq. Ba’zi fotoelementlar 
yaqqol ifodalangan spektral sezgirlikka ega. 
Fotodiodlar – ikkita chiqishga ega bo’lgan fotoelektr asbob bo’lib, uning ishlash 
prinsipi teskari ulangan elektr o’tishda fotogalvanik effektni ishlatishga asoslangan. 
Uning elektr o’tishi fotodiod rejimida ishlaydi. Ular radioelektronikada optik qabul 
qilgichlarning va tolali optik aloqa liniyalarida qabul qiluvchi modullarning va shunga 
o’xshashlarning tez harakatlanuvchi sezgir elementlar sifatida ishlatiladi. 
Fotoqarshilik – yorug’lik ta’sirida o’zning qarshiligini o’zgartiruvchi ikkita 
chiqishga ega bo’lgan fotoelektr asbob hisoblanadi. Ularni optoparlarda, infraqizil 
16.3-rasm. 

---

diapazondagi 
optik 
qabul 
qilgichlarda, 
o’lchovchi sistemalarning dastlabki 
o’zgartiruvchilarida va shunga o’xshashlarda ishlatiladi. 
Fotoelementlarning yana bir turi – berkituvchi qatlami yarim o’tkazgichli 
fotoelement yoki ventilli fotoelementlar ichki fotoeffektga 
asoslangan (16.4-rasm). Gal’vanometr 
G  ulangan tashqi 
elektr zanjirga plastinka 
M
va uning ustiga surkalgan 
yarim 
o’tkazgichning 
qatlami 
P
ulangan. 
Yarimo’tkazgichning metall bilan qoplangan zonasida 
ventilli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan berkituvchi qatlam 
B
hosil bo’ladi: bu qatlam elektronlarni faqat yarim 
o’tkazgichli tomonga o’tkazadi. Yarimo’tkazgichli 
qatlamni yoritganda, ichki fotoeffekt tufayli, unda erkin elektronlar paydo bo’ladi. Bu 
elektronlar berkituvchi qatlam orqali metallga o’tib teskari yo’nalishda siljish imkoniyati 
bo’lmaganidan metallda ortiqcha manfiy zaryadni vujudga keltiradi. “O’z” elektronlarini 
qisman yo’qotgan yarim o’tkazgich musbat zaryadli bo’lib qoladi. 
Ichki fotoeffekt yana Quyosh elementlarida yorug’lik 
energiyasi elektr yurituvchi kuchga aylantirib berish uchun 
ham 
ishlatiladi. 
Quyosh 
elementlaridan 
Quyosh 
batareyalarini yig’adilar, ular turli xil joylarda ta’minlash 
manbalari sifatida ishlatiladi. 
16.5-rasmda elektr zanjiriga ulangan Quyosh 
elementi tasvirlangan. Amaliyotda ko’proq kremniy (aniqroq aytsak
Si
p −
va 
Si
n −
kontakti) asosidagi Quyosh elementlari ishlatilmoqda. Ularning foydali ish 
koeffitsiyentlari 15 – 20% larga yetadi. Galliy arsenidi ( GaAs ) asosidagi elementlar ham 
ishlatilmoqda. Ularning foydali ish koeffitsiyentlari kichik bo’lsada, ular radiatsion 
buzilishlarga chidamli hisoblanadilar.