15-ma’ruza mavzu: Yarim o‘tkazgichli elektron qurilmalar reja o‘tkazgich va yarim o‘tkazgichlar xaqida tushuncha. Yarim o‘tkazgichli diodlar va tranzistorlar

a
 
a b
14. 14-rasm. Tranzistorning shartli belgisi, tuzilishi (a) va amalda keng tarqalgan 
tranzistorlardan ayrimlarining umumiy ko‘rinishi (b). 
Ishlatilish sohalariga qarab bipolyar tranzistorlar chastota bo‘yicha 
quyidagicha farqlanadi: past chastotali- 3MGs gacha; o‘rta chastotali 3MGs - 30 
MGs; yuqori chastotali 30MGs -300 MG; o‘ta yuqori chastotali 300MGs dan katta. 
Shuningdek, quvvati bo‘yicha kam quvvatli (0,3 Vt gacha), o‘rta quvvatli (0,3 Vt 
dan 3 Vt gacha), katta quvvatli (3 Vt dan katta) turlarga bo‘linadi. 
Bipolyar tranzistorlar ko‘proq kremniy kristalidan n-p-n struktura asosida 
quriladi. Tranzistorda kollektor, baza va emiter sohalarining o‘lchamlari va zaryad 
tashuvchilarning konsentratsiyalari har xil bo‘ladi. Masalan n-p-n tranzistorning 
emitterida asosiy zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasi kollektordagidan 
kattaroq, demak o‘tkazuvchanligi yuqoriroq bo‘ladi, shuning uchun emitter n
+
deb, 
kollektor esa 
n deb belgilanadi. Emitter kollektorga asosiy zaryad tashuvchilarni 
yetkazib beradi. Baza qarshiligi emitter qarshiligiga nisbatan ancha katta bo‘lib, 
bazada asosiy zaryad tashuvchilar teshiklardir. Emitter va kollektor sohasida esa 
ular asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar hisoblanadi. 
Tranzistorning ishlashi, ish rejimlari va ulanish sxemalari.
Tranzistorni ishlash prinsipi p-n ( n-p)  o‘tishlardagi fizikaviy jarayonlarga 
asoslangan. Bu o‘tishlar emitter o‘tishi va kollektor o‘tishi deb yuritiladi. Emitter 
va kollektor elektrodlari tashqi zanjirga ulanadi, bunda kuchlanishning 
yo‘nalishiga qarab o‘tishlar to‘g‘ri yoki teskari yo‘nalishlarda ulangan bo‘lishi 
mumkin. O‘tishlardagi kuchlanishning to‘g‘ri yoki teskariligiga qarab o‘tishda 
siljishlar yuzaga keladi va bu siljishlar tranzistorni ish rejimlarini belgilaydi. 
Emitter va kollektorning ulanishlari kombinatsiyasi, va natijada hosil bo‘lgan 
tranzistorning ish rejimlari 8.1-jadvalda keltirilgan.
Aktiv rejim. Bu rejimda jadvaldan ko‘rsatilganidek, emitter o‘tishi to‘g‘ri 
yo‘nalishda siljiydi, kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishda siljiydi. Natijada 
tranzistorning kuchaytirish xususiyati ko‘proq namoyon bo‘ladi. Shuning uchun, 
эмиттер
ўтиши 
коллектор
ўтиши 

---

tranzistorning aktiv rejimi uni kuchaytruvchi element sifatidaa (elektrovakuum 
lampalardagi triod singari) ishlatish imkonini beradi.
8.1. jadval 
t/r 
№ 
Emitter o‘tishi 
Kollektor o‘tishi 
Tranzistroning 
ish 
rejimi 
1 
to‘g‘ri 
teskari 
aktiv rejim 
2 
to‘g‘ri
to‘g‘ri 
to‘yinish rejimi 
3 
teskari 
teskari 
yopiq rejim 
4 
teskari
to‘g‘ri 
invers rejim