"Tasdiqlayman" O`ibdo` Jumayeva E. I. " 2023 yil

Yarim­o’tkazgichlarning krista­lida atomlarning o’zaro joylashishi.

2-Slayd

3-Slayd



Agar shu yarim o’tkazgichda elektr maydoni hosil qilinsa, teshik maydon kush­langanlik vektori yo’nali­shida ko’shib, yarim o’tkazgichda, teshik­li elektr o’tkazuvchanlikni hosil qila­di. Bunday elektr o’tkazuvchanlikni r-turdagi (positive – musbat degan so’zning bosh harfidan olingan), ya’ni teshikli o’tkazuvchanlik deb ataladi.
Yarim o’tkazgichning teshikli o’tkazuvchanligini hosil qiluvshi aralashmalar aktseptorlar deyiladi.

4-Slayd

Issiqlik ta’si­rida elektr qarshiligini o’zgartira­digan elementlarga termistorlar deyiladi.
Yorug’­lik ta’siri ostida soya qarshili­gini o’zgartiradigan elementlar foto­rezis­torlar yoki fotoqarshiliklar deyiladi.
Elektron o’tkazuvchanlik va teshik o’tkazuvchanlik sohasiga ega bo’l­gan yarimo’tkazgichga elektron-teshikli yoki p-n o’tishli yarimo’tkazgich deb ata­ladi
P-no’tishli elektron qurilmaga yarimo’tkazgichli diod deb ataladi.

5-Slayd

“Rezyume” texnologiyaning tasnifi:
Bu texnologiya murakkab, ko’p tarmoqli, mumkin qadar muammoli mavzularni o’rganishga qaratilgan.Texnologiyaning mohiyati shundan iboratki, bunda bir yo’la mavzuning turli tarmoqlari bo’yicha axborot beriladi.Ayni paytda ularning har biri alohida nuqtalardan muhokama etiladi. Masalan ijobiy va sal’biy tomonlari, afzallik va kamchiliklari, foyda va zararlari belgilanadi.
9-Ilova
“Rezyume” texnologiyasi uchun eksper varag’i:

1-Qator uchun:

Diod
Afzalligi	Kamchiligi

10-ilova.

2-Qator uchun

Tranzistor
Afzalligi	Kamchiligi

3-Qator uchun