Тошкент ахборот технологиялари университети самарқанд филиали

Дифференциал қаршилик. У p-n ўтишнинг кичик ампли-тудали ўзгарувчан токка кўрсатган актив қаршилигига эквивалент бўлиб, ифода билан аниқланади. Дифференциал қаршилик ВАХнинг белгиланган нуқтасидаги тикликка тескари пропорционал. Идеаллаштирилган p-n ўтиш учун (2.9) формуладан R_ДИФ нинг аналитик ифодасини топиш мумкин
. (2.27)
Тўғри силжитилганда I>>I₀, шунинг учун


. (2.28 а)
p-nўтишга тўғри кучланиш берилганда R_ДИФқиймати кичик ва кучланиш ортиши билан камаяди, тескари силжитилганда эса жуда юқори бўлади.
р-n ўтиш сиғими. p-n ўтишдаги қўш электр қатлам – барьер сиғимини, p- ва n- соҳалардаги номувозанат ноасосий заряд ташувчилар –диффузия сиғимини вужудга келтиради.
Статик режимда ёки паст частотали кучланиш таъсир этганда p-n ўтишдаги ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик (2.10) муносабат билан ифодаланади. Динамик режимда барьер ва диффузия сиғимлари мавжудлиги туфайли (2.10)дан фойдаланиб бўлмайди.
Паст частоталарда p-n ўтиш токи электрон - ковак ўтишнинг ҳамда яримўтказгич p- ва n- соҳаларининг актив қаршилиги (r_Б) билан аниқланади. Юқори частоталарда p-nўтишнинг инерция-дорлиги унинг сиғими билан белгиланади.
p-n ўтиш тўғри уланганда чегарадош соҳаларга ноасосий заряд ташувчилар инжекцияланади. Бунинг натижасида p-n ўтиш чегаралари яқинидаги юпқа қатламларда қийматлари бир-бирига тенг қарама-қарши ишорали номувозанат ноасосий заряд ташувчилар Q_ДИФ тўпланадилар. Кучланиш қиймати ўзгарганда инжекцияланган заряд ташувчилар сони, заряд миқдори ўзгаради. Заряд-ларнинг кучланиш таъсирида бундай ўзгариши конденсатор қопламаларида заряднинг ўзгаришига ўхшайди. Ноасосий заряд ташувчилар базага диффузия ҳисобига келгани сабабли бу сиғим диффузия сиғим деб аталади ва қуйидаги формулага биноан ҳисоб-ланади:


. (2.29)

Тўғри ток қиймати ва заряд ташувчиларнинг базада яшаш вақти ортиши билан диффузия сиғим ортади. p-n ўтиш тескари силжитилиши билан C_ДИФ=0 бўлади. Диффузия сиғимнинг кучланиш билан ўзгариши p-n ўтиш ВАХ тўғри шахобчаси билан ўхшашлиги (2.29)дан кўриниб турибди. Частота ортиши билан диффузия сиғим камаяди.

Электрон - ковак ўтиш қўш электр қатламни ташкил этади ва зарядланган конденсаторга ўхшайди. p-n ўтиш сиғими ўтиш юзаси S, унинг кенглиги ва яримўтказгичнинг диэлектрик доимийси ε билан аниқланади. У барьер сиғим деб аталади ва қуйидаги ифода билан аниқланади:
. (2.30)
p-nўтишга кучланиш берилганда унинг қалинлиги ўзгаргани сабабли сиғими ҳам ўзгаради. Сиғимнинг кучланиш қийматига боғлиқлиги куйидагича бўлади:
. (2.31)
Бу ифодада p-n ўтиш тўғри уланганда ишора манфий, тескари уланганда эса, мусбат олинади. Барьер сиғим С_Бp-n ўтишга берилган кучланиш қийматига боғлиқ бўлгани сабабли, ундан ўзгарувчан сиғимли конденсатор сифатида фойдаланиш мумкин.
Тўғри силжитилганда диффузия сиғим барьер сиғимдан анча катта қийматга эга, тескари силжитилганда эса, аксинча бўлади. Шу сабабли тўғри силжитилганда p-n ўтишнинг инерциядорлиги диффузия сиғими билан, тескари силжитилганда эса, барьер сиғими билан аниқланади.
Барьер сиғим частотага боғлиқ эмас. p-n ўтишнинг вольт – фарад характеристикаси 2.8-расмда келтирилган.
Электрон асбобларни ишлатишда, баҳолашда ва лойиҳалашда моделлаштиришдан кенг фойдаланилади. Хусусан, (2.10) муносабат статик режимда p-n ўтишнинг аналитик моделини, ВАХ эса (2.5-расмга қаранг), график моделини тасвирлайди
Динамик режимда p-n ўтишнинг хусусиятларини ифодалаш учун ҳам қатор модделардан, хусусан, динамик ВАХлардан фойдаланилади. Сиғимлар таъсирини эътиборга олган ҳолда, ушбу модель чегарасида p-n ўтиш токини қуйидаги ифодадан топиш мумкин:
, (2.32)
бу ерда, I(U) –статик ВАХдан аниқланадиган ток, - кўринишга эга бўлиб, у p-n ўтиш сиғимини ифодалайди.

2.8-расм. p-nўтишнинг вольт - фарада характеристикаси.

C_Д(U)сиғим қийматларини билган ҳолда, кучланишнинг турли ўзгариш тезликлари учун, яъни турли частоталар учун характеристикалар оиласини қуриш мумкин.
Яримўтказгич асбобларнинг p- ва n- соҳаларидан электродлар чиқариш учун металл-яримўтказгич контактлардан фойдаланилади. Бундай контактлар тўғриловчи ёки омик (Ом қонунига бўйсунувчи) хусусиятга эга бўлиши мумкин. Улар яримўтказгичнинг ўтказувчанлик турига, киритмалар концентрациясига, электронларнинг яримўтказгич ва металлдан чиқишишлари нисбатига боғлиқ ҳолда ҳосил қилинадилар.
Тўғри йўналишдаги қаршилиги тескари йўналишдагисидан кичик бўлган ва ночизиқли ВАХ га эга контакт тўғриловчи контакт деб аталади. Қаршилиги контактдан ўтаётган ток қиймати ва йўналишига боғлиқ бўлмаган контактлар омик контакт дейилади. Металлдан ёки яримўтказгичдан электронни тортиб олиш учун сарфланадиган иш миқдори чиқиш иши деб юритилади ва у электрон - вольт (эВ) бирликларда ўлчанади, 1 эВ=1,60∙10^-19 Дж.